VS-GB70LA60UF
nhà sản xuất:
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
Mô tả:
IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
111 A
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
Bao bì / Vỏ:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.44V @ 15V, 70A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
600 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
100µA
Loại IGBT:
NPT
Sức mạnh tối đa:
447 W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Cấu hình:
Đơn vị
Nhiệt điện trở NTC:
Không.
Số sản phẩm cơ bản:
GB70
Lời giới thiệu
IGBT Module NPT đơn 600 V 111 A 447 W Chassis Mount SOT-227
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: