FS50R07U1E4BPSA1
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
MODULE IGBT 650V 75A 230W
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
75 A
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Thẻ
Dòng:
SmartPACK1
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1,95V @ 15V, 50A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
650 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
mô-đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40 °C ~ 125 °C
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1mA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh tối đa:
230 W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
95 pF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần toàn cầu
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng
Số sản phẩm cơ bản:
FS50R07
Lời giới thiệu
Mô-đun IGBT Dừng trường rãnh Toàn cầu Biến tần 650 V 75 A 230 W Mô-đun gắn khung gầm
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: