VS-ENQ030L120S
nhà sản xuất:
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
Mô tả:
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
61 A
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
Bao bì / Vỏ:
EMIPAK-1B
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2,52V @ 15V, 30A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
EMIPAK-1B
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Bộ phận Diode
Nhiệt độ hoạt động:
150°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
230 µA
Loại IGBT:
Mương
Sức mạnh tối đa:
216 W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
3,34 nF @ 30 V
Cấu hình:
Biến tần ba cấp
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng
Số sản phẩm cơ bản:
ENQ030
Lời giới thiệu
IGBT Mô-đun Rãnh Biến tần ba cấp 1200 V 61 A 216 W Khung gầm EMIPAK-1B
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: