FF225R12ME4B11BPSA1
nhà sản xuất:
Công nghệ Infineon
Mô tả:
IGBT MOD 1200V 320A 1050W
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
320A
Tình trạng sản phẩm:
Ngừng sản xuất tại Digi-Key
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
EconoDUAL™ 3
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 225A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
mô-đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
3mA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh tối đa:
1050W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Cấu hình:
2 độc lập
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng
Số sản phẩm cơ bản:
FF225R12
Lời giới thiệu
IGBT module trench field stop 2 độc lập 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount module
Gửi RFQ
Sở hữu:
MOQ: